Описание
Рельефная поверхность подложки гетероэпитаксиальной структуры, изготовленная методом электронно-лучевой литографии с использованием различных топологий, позволяет существенно повысить энергоэффективность светодиода за счет увеличения квантовой эффективности.
Технические характеристики экспоната:
КПД 35%
Длины волны излучения 460 ± 5 нм
Прямое падение напряжения на токе 20 мА 3,3 – 4 В
Дифференциальное сопротивление кристалла менее 6 Ом
Токи утечки при обратном напряжении 3 В менее 10 мкА
